SUPERSiC® Àº ¹ÝµµÃ¼ »ê¾÷ ºÐ¾ß¿¡¼ »ç¿ëµÇ´Â Silicon
Carbide Áß Çϳª¸¦ ĪÇÏ´Â POCO »çÀÇ »óÇ¥ÀÔ´Ï´Ù.
POCOÀÇ ±â¼ú·ÂÀº
¹Ù·Î °æÀï·ÂÀ¸·Î ¿¬°áµË´Ï´Ù..
Æø³ÐÀº µðÀÚÀÎ ´É·Â
Á¤¹ÐÇÑ °¡°ø
¶Ù¾î³ Á¤Á¦ °øÁ¤ CVD SiC
coating
»õ·Î¿î
´ë¾ÈÀ¸·Î¼ÀÇ POCO Silicon Carbide
POCO
Silicon Carbide´Â Quartz¿Í ´Ù¸¥ Silicon CarbideÀÇ ´ëüǰÀ¸·Î »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
¼ö¸í ¸é¿¡¼ Quartzº¸´Ù ¿ùµîÈ÷ ¿ì¼öÇÕ´Ï´Ù.
µÎ ÀçÁú ¸ðµÎ ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß¿¡¼ ÀϹÝÀûÀ¸·Î
»ç¿ëµÇ´Â wet etching °øÁ¤¿¡ °ÇÑ ³»±¸¼ºÀ» º¸ÀÌÁö
¸¸, °í¿Âȯ°æ¿¡¼´Â POCO Silicon
Carbide°¡ ÈξÀ ¾ÈÁ¤µÈ ¼º´ÉÀ» ¹ßÈÖÇÕ´Ï´Ù.
HF, HNO3, HClµîÀÇ ÀϹÝÀûÀÎ ¼¼Ã´ ¹æ½Ä ÀÌ¿ëÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
ÀÛ¾÷ °³¼±
POCO
Silicon Carbide´Â BPSG, TEOS, POCl3, poly depo, silicon nitride, age oxidation,
implant anneal/drive-inµî°ú °°Àº ¹ÝµµÃ¼ °øÁ¤¿¡ µµ¿òÀÌ µÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
1300°C Á¤µµÀÇ
ÀÛ¾÷ Á¶°Ç¿¡¼µµ ¾ÈÀüÇÕ´Ï´Ù.
ÀÛ¾÷ Áö¼Ó¼º
Çâ»ó
POCO
Silicon CarbideÀÇ (CTE Coefficient Thermal Expansion:¿ÆØÃ¢°è¼ö)°¡ ¹ÝµµÃ¼ ºÐ¾ß
¿¡¼ »ç¿ëµÇ´Â filmÀÇ
CTE¿Í ºñ½ÁÇϱ⠶§¹®¿¡ film ÁõÂøÀÌ ¿ëÀÌÇÕ´Ï´Ù.
˞˼
particle ¹ß»ý
ÁÙ¾îµç
Downtime
±æ¾îÁø
Running Cycle
Etch °øÁ¤¿¡ °Çϱâ
¶§¹®¿¡ Ä¡¼ö º¯È°¡ ¹ß»ýÇÏÁö ¾Ê°í, ¼¼Ã´ Áß¿¡ ºÎ½ÄÀÌ »ý±âÁö ¾Ê½À´Ï´Ù. ·Îº¿ °øÇÐÀ» ÅëÇÑ clean cycleÀÇ ¾ÈÁ¤È°¡ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
°í¼øµµ
Silicon Carbide
POCO
Silicon Carbide´Â ´Ù¸¥ Silicon CarbideÀÇ ´ëüǰÀ¸·Î »ç¿ëÀÌ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
POCO
Silicon Carbide ÀçÁú¿¡´Â binding, filling, sintering¿¡ ÇÊ¿äÇÑ ¹°ÁúµéÀÌ µé¾î°¡Áö ¾ÊÀº Si¿ÍCÀÇ ÈÇк¯·®·ÐÀûÀ¸·Î
1:1 °áÇÕ¸¸À¸·Î ÀÌ·ç¾îÁø Ư¡À» Áö´Ï°í ÀÖ½À´Ï´Ù. Æø³ÐÀº µðÀÚÀÎ °¡´É¼ºÀ» ÅëÇØ¼ ³·Àº ¿¿ë·® È®º¸°¡ °¡´ÉÇÕ´Ï´Ù.
°³¼±µÈ °øÁ¤ control
½Å·Úµµ ³ôÀº Die »ý»ê
°æºñ Àý°¨
1.gif)
|