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square28_white.gif 새천년 소재 산업의 선두주자

   POCO는 25년이 넘는 기간 동안 반도체 분야에 APCVD wafer carrier, E-beam crucible, 다양한 사이즈의 heater, ion implanter 부품, LTO injector tube, MOCVD susceptor, PECVD wafer tray와 disk boat, plasma etch electrode, Quarts 대체 부품, sealing plate, bonding fixtures와 sputtering target등과 다양한 반도체용 부품들을 납품해 온 업체입니다. Fab에서 요구되는 다양한 사양들을 충분히 만족시킬 수 있는 다양한 제품 재질, 후처리 및 가공 기술을 보유하고 있는 것이 POCO의 자랑이기도 합니다.

   또한, POCO는 반도체 분야의 고열처리에 적합한 재질에 대한 요구에 부응하고자, graphite를 Silicon Carbide(SiC)로 화학 변화시키는 기술을 획득하게 되었습니다. Horizontal과 vertical carrier와 Dummy SiC wafer등이 SiC 제품군에 속합니다. 반도체용으로 쓰이는  SiC를 생산하는 주된 4가지 방식 중에서, POCO만이 유일하게 graphite를 SiC로 화학 변화시키는 생산 방식을 채택하고 있습니다. 이러한 방식으로 제품을 제작할 경우, graphite를 원하는 모양으로 가공하고 나서, SiC로 화학 변화시키기 때문에 , 주조 형식으로 생산되는 SiC 제품들에 비해, 생산과정에 소요되는 시간이 훨씬 짧아지고, 가격도 저렴하다는 장점이 있습니다. 무엇보다도 POCO SiC는 화학량론적으로 정확한 고순도 SiC입니다.

 

   POCO Pyrograph는 implant와 etch component 용도로 쓰이는 재질을 생산하기 위해, 밀도를 높이고, 표면 기공을 줄인 POCO 반도체용 graphite의 우수한 특징들의 집약체입니다.

 

   Fabmate는 POCO Graphite의 독점적인 Carbon 변용 처리 방식에 속하는 순도처리와 가공을 걸친 고강도의 완제품에 대한 상표명입니다. Fabmate 제품들은 크린룸에서 사용되기 위해서 고안되었으며, 높은 청결성과 표면 기공이 없어야 사용 가능한 반도체 분야에 이상적인 제품입니다.

 

   POCO의 SiC 제품들은 독특한 제조공정을 통해서 생산됩니다. 이러한 제조 기술이 타사와는 비교할 수 없을 만큼 제품 디자인에 유동성을 갖게 해주며, 제작 비용과 기간 면에도 유리하게 해줍니다. SiC 제품들은 그 특성상 높은 강도를 유지하면서, thermal mass는 줄이도록 고안되었습니다. 저희 SiC carrier는 산에 대한 높은 저항성으로 타사 제품에 비해 더 오래 사용할 수 있고, 효과적 사용을 위해 요구되는 세척회수도 타사 제품에 비해 월등히 낮은 편입니다. 통상적으로 SiC 제품들은 공정 역학을 위한 quartz의 명백한 대체품입니다.

 

   Durabraze은 POCO Graphite의 독점적인 Carbon 변용 처리 방식에 속하는 순도처리와 가공을 걸친 고강도의 완제품에 대한 상표명입니다.

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APCVD Wafer Carriers

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E-Beam Crucibles and Hearth Sheilds

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Ion Implanter

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LTO Injector Tubes

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MOCVD Susceptors

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PECVD Wafer Trays & Disk Boats

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Silicon Carbide

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Sealing Plates and Bonding Fixtures

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Sputtering Target

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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